图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 C3D10170H |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 30 |
| 二极管型 | Silicon Carbide Schottky |
| 电压 - 直流反向（VR）（最大值） | 1700V (1.7kV) |
| 电流 - 平均整流（Io） | 14.4A (DC) |
| 电压 - 正向（Vf）（最大）@ | 2V @ 10A |
| 速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| 反向恢复时间（trr） | 0ns |
| 电流 - 反向漏VR | 60µA @ 1700V |
| 电容@ Vr，F | 827pF @ 0V, 1MHz |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-247-2 |
| 供应商器件封装 | TO-247-2 |
| 包装材料 | Tube |
| 封装 | Tube |
| 电流 - Vr时反向漏电 | 60µA @ 1700V |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电压 - 正向（Vf） （最大） | 2V @ 10A |
| 电压 - （ Vr）（最大） | 1700V (1.7kV) |
| 热阻 | 0.65°C/W Jc |
| 电容@ Vr ，F | 827pF @ 0V, 1MHz |
| 供应商设备封装 | TO-247-2 |
| 反向恢复时间（trr ） | 0ns |
| 工作温度 - 结 | -55°C ~ 175°C |
| 标准包装 | 30 |
| 电流 - 平均整流（Io ） | 14.4A (DC) |
| 封装/外壳 | TO-247-2 |
| 速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| 二极管类型 | Silicon Carbide Schottky |
| 最大二极管电容 | 827 pF |
| 正向电压下降 | 2 V |
| 产品 | Schottky Silicon Carbide Diodes |
| 最大功率耗散 | 231 W |
| 正向连续电流 | 10 A |
| 最大反向漏泄电流 | 60 uA |
| 峰值反向电压 | 1.7 kV |
| 安装风格 | Through Hole |
| 最大浪涌电流 | 55 A |
| 封装/外壳 | TO-247-2 |
| 配置 | Single |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 安装 | Through Hole |
| 工作温度范围 | -55C to 175C |
| 包装类型 | TO-247 |
| 引脚数 | 2 +Tab |
| 工作温度分类 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 整流器类型 | Schottky Diode |
| 峰值不重复浪涌电流（最大） | 55 |
| 高峰代表冯电压 | 1700 |
| 冯页次 | 60 |
| 删除 | Compliant |
| 峰值不重复浪涌电流 | 55 A |
| 正向电压 | 2 V |
| 电流 - 平均整流 (Io) | 14.4A (DC) |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 1700V (1.7kV) |
| 系列 | Z-Rec™ |
| 不同 If 时的电压 - 正向 (Vf) | 2V @ 10A |
| 不同 Vr、F 时的电容 | 827pF @ 0V, 1MHz |
| 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 | 60µA @ 1700V |
| 工作温度 - 结温 | -55°C ~ 175°C |
| 封装/外壳 | TO-247-2 |
| 反向恢复时间 (trr) | 0ns |
| 速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| 二极管类型 | Silicon Carbide Schottky |
| 热阻 | 0.65°C/W Jc |
| associated | C3D10170H BW50-2G THFU 1 1399075-M |
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